近期，原子能院核技术所利用核辐射探测器研发条件项目设备、设施(简称“核辐射探测器研发设施”)，相继开展了一系列核探测技术重大科研项目研发工作，标志着该设施已具备为重点科研项目提供技术支撑的能力。该设施包含的半导体探测器工艺线，是中核集团半导体探测器制备工艺研究设备、设施最为齐全的工艺线，它的投运进一步提升了我国先进半导体探测器研发的自主创新能力。
核辐射探测器研发设施主要用于硅平面工艺探测器、高纯锗、化合物半导体探测器等先进半导体探测器的研究和制备。其主要工艺设备包括光刻机，低压化学气相沉积、氧化扩散、磁控溅射、清洗腐蚀等设备，以及环境试验和电离辐射试验设备设施。目前，依托核辐射探测器研发设施，国家重点研发计划项目“全自动高纯锗能谱仪的研制”开展了高纯锗探测器锂蒸发扩散、表面处理工艺等实验研究;中子探测项目完成了高温电离室温度冲击、振动等环境试验和中子响应测试等试验。
半导体探测器工艺线是核辐射探测器研发设施最主要的工艺线之一，经过多次调试及试验，该工艺线于2019年投入运行，并围绕重点科研工作逐步开展了半导体探测器清洗腐蚀、光刻、镀膜、片上薄膜质量和电学性能测试、划片封装等工艺研究，以及整机线性温度冲击实验、振动等环境实验。由于半导体探测器在国民经济建设、核物理实验以及辐射环境测量等方面具有广泛用途，随着核辐射探测器研发设施投入运行，将使我国具备高纯锗、硅平面工艺探测器等先进半导体探测器批量化的制造能力，从而为核工业持续发展奠定坚实基础。
免责声明：本网转载自合作媒体、机构或其他网站的信息，登载此文出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。本网所有信息仅供参考，不做交易和服务的根据。本网内容如有侵权或其它问题请及时告之，本网将及时修改或删除。凡以任何方式登录本网站或直接、间接使用本网站资料者，视为自愿接受本网站声明的约束。
